戰(zhàn)后半個(gè)世紀(jì)是現(xiàn)代科技高速發(fā)展的時(shí)期,人類經(jīng)過半個(gè)世紀(jì)的努力,無論在農(nóng)業(yè)、工業(yè)、醫(yī)藥、生物、宇宙探索、環(huán)境以及基本理論研究等方面,都取得了偉大的成就。材料的高純度、產(chǎn)品的高精度及高可靠性是這一時(shí)期科技發(fā)展的特點(diǎn)。超微細(xì)加工、裝配和測試,對諸如空氣潔凈、防微振、防電磁干擾、低噪聲以及對超純水、超純氣體等的嚴(yán)格要求,使由此產(chǎn)生的環(huán)境控制學(xué)得到了迅速發(fā)展?？刂莆⒄駝蛹捶?/span>微振,是環(huán)境控制的一個(gè)重要組成部分。防
微振的重要性體現(xiàn)在各行各業(yè):例如感光化學(xué)工業(yè),彩色膠片乳劑層14個(gè)涂層總厚度僅19μm,在涂布過程中由于微小的振動將使乳劑涂層厚薄不勻,在膠片上產(chǎn)生橫紋;在慣導(dǎo)技術(shù)方面,為了提高導(dǎo)彈的打擊精度,準(zhǔn)確命中目標(biāo),需要對陀螺儀、加速度計(jì)及組合制導(dǎo)(衛(wèi)星、導(dǎo)航、地形匹配及景物匹配)系統(tǒng)的精度提出高的要求,這種高精度慣導(dǎo)系統(tǒng)的調(diào)試和檢測,必須在極為寧靜的環(huán)境中進(jìn)行;對于微電子工業(yè),線寬0.1μm(4G DRAM)產(chǎn)品已進(jìn)人市場,硅片加工中的光刻工序?qū)ξ⒄駝拥目刂埔髽O為嚴(yán)格;其他如精密機(jī)械加工、光學(xué)器件檢測、激光實(shí)驗(yàn)、超薄金屬軋制以及理化實(shí)驗(yàn)等都需要對微振動進(jìn)行控制。
在集成電路的制造過程中,被加工的是單一的硅片,從原材料到產(chǎn)品需要進(jìn)行幾百道物理、化學(xué)加工工序,其間如果遭受污染,就會引起產(chǎn)品大量報(bào)廢,例如64 MDRAV,在制造過程中,空氣中塵埃粒徑應(yīng)被控制在0.035μm以下;環(huán)境微振動值應(yīng)控制在4.5X10-3mm/s以下,在光刻工序,很小的微振動會引起對位不準(zhǔn),影響產(chǎn)品的成品率。
為了滿足集成電路日益精細(xì)的加工要求,各國在微污染控制技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)投入了可觀的人力、物力進(jìn)行系統(tǒng)研究,取得了大量科技成果,涌現(xiàn)了一批高科技產(chǎn)品,諸如超高效過濾器(過濾效率達(dá)99.9999%)的問世及ISO3級(0.1μm)潔凈室的建立;超純水及超純氣體的應(yīng)用;隧道式潔凈室及微環(huán)境系統(tǒng)潔凈室的出現(xiàn)和使用,大大降低了污染。在防微振領(lǐng)域,從廠房結(jié)構(gòu)形式、動力設(shè)備布置及隔振措施到精密設(shè)備防微振措施等方面獨(dú)特的建樹,為集成電路生產(chǎn)提供了一個(gè)優(yōu)良的環(huán)境。可以認(rèn)為,當(dāng)今微污染控制領(lǐng)域諸多科技成果的出現(xiàn)無不與集成電路生產(chǎn)的飛速發(fā)展有關(guān)。
集成電路工廠的前工序(硅片加工)對微環(huán)境控制最為嚴(yán)格。在防微振方面,要求工廠建造在遠(yuǎn)離鐵路、機(jī)場、公路干線且綠化較好的地區(qū),廠區(qū)總平面布置要求單建的動力站房與潔凈廠房之間留有足夠的距離。
我國對防微振的研究及工程實(shí)踐始于20世紀(jì)60年代初期,經(jīng)歷了幾代人的努力,不僅建立和完善了防微振理論,開發(fā)了防微振用系列化隔振產(chǎn)品,還進(jìn)行了大量的工程實(shí)踐,成功地解決了彩色膠片涂布、慣導(dǎo)系統(tǒng)測試、集成電路光刻工序、空間光學(xué)系統(tǒng)檢測、激光實(shí)驗(yàn)、超薄金屬軋制、文物保護(hù)等方面的防微振同題,為我國現(xiàn)代化科技的發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展、進(jìn)步,防微振技術(shù)必須不斷地探索、提高和深化,這將是歷史的必然。而解決好防微振技術(shù),應(yīng)重點(diǎn)考慮以下幾個(gè)方面。
微振動控制值的確定;
場地選擇及微振動測試與分析；
防微振工程設(shè)計(jì)程序；
防微振工程設(shè)計(jì)。